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| Numero di parte | SI4487DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 466.836 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 999 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC |
7500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 D# SI4487DY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
19245 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1189 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
880000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 D# 86R3887 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -11.6A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:11.6A, On Resistance Rds(on):0.0165ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 D# NS-SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4529 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
69016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
879985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4487DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
388 |
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