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SI4488DY-T1-E3

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SI4488DY-T1-E3

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Numero di parte SI4488DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4488DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4488DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4488DY-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4488DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# 70026223

Vishay Siliconix

MOSFET, SOIC8 150V N-Channel Trench

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0

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MOSFET, SOIC8 150V N-Channel Trench

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R

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Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4488DY-T1-E3)

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4488DY-T1-E3)

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34
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TRANS MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SOIC N - Tape and Reel

0
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44
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SI4488DYT1E3

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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

1243
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MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8

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2907
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Single N-Channel 150 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

18823
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