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SI4505DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4505DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Scheda dati

SI4505DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4505DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI4505DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4505DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4505DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4505DY-T1-GE3?
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