Name: SI4561DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4561DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

SI4561DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4561DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Scheda dati	SI4561DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4561DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 20V
Potenza - Max	3W, 3.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4561DY-T1-GE3

SI4561DY-T1-GE3 Packaging

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Vishay Siliconix

N-CH/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:6.8A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):29.5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes

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D# SI4561DY-T1-GE3TR-ND

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