Name: SI4666DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4666DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (134 reviews)

SI4666DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4666DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Scheda dati	SI4666DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4666DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1145pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3 Packaging

SI4666DY-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI4666DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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