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SI4686DY-T1-GE3

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SI4686DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4686DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Scheda dati

SI4686DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4686DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?, WFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1220pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4686DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4686DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4686DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4686DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4686DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4686DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-Pin SOIC N T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
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Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

0
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D# SI4686DY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

RoHS: Compliant
2060
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D# 26R1888

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 18.2A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:18.2A, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0
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D# NS-SI4686DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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