Name: SI4812BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4812BDY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (149 reviews)

SI4812BDY-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI4812BDY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Scheda dati	SI4812BDY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4812BDY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3 Packaging

SI4812BDY-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI4812BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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N CHANNEL MOSFET, 30V, 9.5A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel + Schottky, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:7.3A, On Resistance Rds(on):0.013ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

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