Name: SI4833BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4833BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

SI4833BDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4833BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 30V W/S 8-SOIC
Scheda dati	SI4833BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
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Specifiche SI4833BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	*
Tipo FET	-
Tecnologia	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	-

Scheda tecnica SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3 Packaging

SI4833BDY-T1-GE3 FAQ

1. How to order SI4833BDY-T1-GE3 on Heisener?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI4833BDY-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4833BDY-T1-GE3

D# SI4833BDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

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SI4833BDYT1GE3

SILICONIX (VISHAY)

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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OEM/CM ONLY

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