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SI4866BDY-T1-GE3

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SI4866BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4866BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4866BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4866BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5020pF @ 6V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3 Packaging

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  • 3. Are the SI4866BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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D# 70026228

Vishay Siliconix

MOSFET, N-Channel REDUCED QG, Fast Switching

RoHS: Not Compliant
0
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Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R

0
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4866DY-T1-E3)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Intertechnologies

4575
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SI4866DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

0

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Vishay BLH

Min Qty 4

1675
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 11A 8SO

1803

SI4866BDY-T1-GE3

D# SI4866BDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

0
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4380
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D# 2335321

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CH, 12V, 21.5A, SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
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0
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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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SI4866BDYT1GE3

Vishay/Siliconix-Actives

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2975
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850000
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SI4866DY-T1-E3

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W

RoHS: Compliant
1936
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Vishay Intertechnologies

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RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0

SI4866BDY-T1-GE3

D# 69W7204

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CHANNEL, 12V, 21.5A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:21.5A, On Resistance Rds(on):0.0042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4866DY-T1-E3

D# NS-SI4866DY-T1-E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4964

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Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

20036
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4866BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 21.5A I(D), 12V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

19

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Vishay Siliconix

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,12V V(BR)DSS,11A I(D),SO,LEAD FREE

567
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4866BDYT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

10470
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Vishay Intertechnologies

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W

pbFree: Pb-Free
0
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1999
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SI4866DY-T1-E3

D# 36800788

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Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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mfr

RFQ

2793
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MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

3165
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MOSFET, N CH, 12V, 21.5A, SOIC

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