Name: SI4894BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4894BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

SI4894BDY-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI4894BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Scheda dati	SI4894BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4894BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1580pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3 Packaging

SI4894BDY-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI4894BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI4894BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of SI4894BDY-T1-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4894BDY-T1-GE3)

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4084

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Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R

2267

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SI4894BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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SI4894BDY-T1-GE3

D# SI4894BDY-T1-GE3CT-ND

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MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

301

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MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

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MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

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