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SI4913DY-T1-E3

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SI4913DY-T1-E3

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Numero di parte SI4913DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Scheda dati

SI4913DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4913DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4913DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4913DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4913DY-T1-E3?
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Trans MOSFET P-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R

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Vishay Siliconix

DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SOIC

0
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D# SI4913DY-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

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