Name: SI4916DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4916DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (174 reviews)

SI4916DY-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI4916DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Scheda dati	SI4916DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4916DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	3.3W, 3.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3 Packaging

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4916DY-T1-E3

D# SI4916DY-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

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SI4916DY-T1-E3

D# SI4916DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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VBsemi Electronics Co Ltd

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RoHS: Compliant

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Vishay Siliconix

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OEM/CM ONLY

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Vishay Intertechnologies

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3

pbFree: Pb-Free

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SI4916DY-T1-E3

Vishay Huntington

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

4600

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