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SI4923DY-T1-E3

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SI4923DY-T1-E3

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Numero di parte SI4923DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Scheda dati

SI4923DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4923DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4923DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4923DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4923DY-T1-E3?
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D# 70026233

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DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
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MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

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