Name: SI4931DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

SI4931DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4931DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Scheda dati	SI4931DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4931DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3 Packaging

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2. How does Heisener guarantee that SI4931DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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D# V72:2272_09216662

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Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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D# SI4931DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4931DY-T1-E3)

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D# SI4931DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4931DY-T1-E3)

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MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

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Vishay Intertechnologies

DualP-Channel 12V 6.7A 1V @ 350uA 18mohms @ 8.9A,4.5V 1.1W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS

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D# SI4931DY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

32075

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SI4931DYT1E3

D# SI4931DYT1E3

Vishay Siliconix

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4173

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VBsemi Electronics Co Ltd

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5950

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UMWSIC

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D# 781-SI4931DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8

RoHS: Compliant

5168

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SI4931DY-T1-E3

D# XSKDRABV0059350

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5000

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SI4931DY-T1-E3

D# 57J5686

Vishay Intertechnologies

DUAL P CHANNEL MOSFET, -12V, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:8.9A, On Resistance Rds(on):0.028ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:8V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 2500

Container: TAPE & REEL - FULL

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D# NS-SI4931DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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10055

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SI4931DYT1E3

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30016

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UMWSIC

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MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8

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Vishay Huntington

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