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| Numero di parte | SI4936BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 10.188 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.8W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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PMT3(310)15006 | Littelfuse Inc., GDT 150V 20KA THROUGH HOLE, Axial Cylinder, 3 Lead (Radial Bend), TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# V72:2272_09216673 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 5.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4936BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N-CHANNEL 30-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# SI4936BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
2405 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# 26R1899 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:6.9A, On Resistance Rds(on):0.051ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# NS-SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2843 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4936BDY-T1-GE3 D# 25790203 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
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