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SI4940DY-T1-E3

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SI4940DY-T1-E3

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Numero di parte SI4940DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
Scheda dati

SI4940DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4940DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs36 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4940DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4940DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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D# 70026236

Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
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Vishay Intertechnologies

1969
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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4940DYT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4940DY-T1-E3

D# SI4940DY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

0
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D# SI4940DYT1E3

Vishay Siliconix

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Vishay Intertechnologies

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Vishay Siliconix

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