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SI4943BDY-T1-E3

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SI4943BDY-T1-E3

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Numero di parte SI4943BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Scheda dati

SI4943BDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4943BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4943BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4943BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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D# 70026237

Vishay Siliconix

SI4943BDY-T1-E3 P-channel MOSFET Module, 6.3 A, 20 V, 8-Pin SOIC

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_09216679

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
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D# SI4943BDY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4943BDY-T1-E3)

0
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SI4943BDY-T1-E3

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Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4943BDY-T1-E3)

0
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MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

2500
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D# SI4943BDY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

2984
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Vishay Intertechnologies

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850000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4943BDY-T1-E3

D# 781-SI4943BDY-E3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 8.4A 2W

RoHS: Compliant
4648
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 85W2152

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:8.4A, On Resistance Rds(on):0.016ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Product Range:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4943BDY-T1-E3

D# NS-SI4943BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

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OEM/CM ONLY

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Vishay Intertechnologies

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Vishay Intertechnologies

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