| Numero di parte | SI4966DY-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 618.240 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 D# 70026027 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 0.019Ohm,ID+/-7.1A,SO-8,PD 2W,VGS+/-12V RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies | 1666 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
TRANS MOSFET N-CH 20V 7.1A 8SOIC N - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 D# SI4966DY-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 D# SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Industry Leading ISO:9001/AS9120A Stocking Distributor of Obsolete & Hard to Find IC's/Semi's, Specializing in Altera/Xilinx. In-House Counterfeit Detection Lab. In Business 20 Years. Free Shipping on Orders Over $250. Buy American, Buy Direct |
1547 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
16128 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
36125 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
8800000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 D# 06J8013 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:7.1A, On Resistance Rds(on):0.025ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Power Dissipation Pd:2W RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 D# NS-SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5083 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
7.1A, 20V, 0.025OHM, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET |
388 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DYT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
65499 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
8799985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Isahaya Electronics Corporation |
shipping today |
19113 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DYT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
RFQ |
14959 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4966DY-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
2096 |
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