Name: SI4966DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4966DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

SI4966DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4966DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Scheda dati	SI4966DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4966DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3 Packaging

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