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| Numero di parte | SI5441BDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| A magazzino | 42.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | mag 19 - mag 24 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET? |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
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SIT8209AI-21-25S-150.000000T | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.5V, 1, -, TrenchFET? | Visualizza |
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IS62WV25616EBLL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc, IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP, 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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RWR74S1911FRB12 | Vishay Dale, RES 1.91K OHM 5W 1% WW AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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RNC50H2321FRB14 | Vishay Dale, RES 2.32K OHM 1/10W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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6-316300-7 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN MAG TERM 16-17AWG TAB, -, TrenchFET? | Visualizza |
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T37147-05-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRIP 5CIRC 0.375", -, TrenchFET? | Visualizza |
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450-10-218-01-899191 | Preci-Dip, CONN HDR 18POS 2.54MM SMD, -, TrenchFET? | Visualizza |
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09185066913 | HARTING, CONN HEADER 6POS T/H R/A, -, TrenchFET? | Visualizza |
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8T716F26SN | Souriau, 8T 26C 26#20 SKT J/N, -, TrenchFET? | Visualizza |
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MS24266R22T32P7 | Cinch Connectivity Solutions, CONN PLUG MALE 32POS GOLD CRIMP, -, TrenchFET? | Visualizza |
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MS3120F16-26SLC | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT HSG FMALE 26POS PNL MT, -, TrenchFET? | Visualizza |
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ABE03DHBR | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FEMALE 6POS 0.039, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# V36:1790_09216202 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 16P3774 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 16P3774) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# SI5441BDC-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
2968 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 1772409 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206 RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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1278 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDCT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
35700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 781-SI5441BDC-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V RoHS: Compliant
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2269 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 16P3774 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6.1A, On Resistance Rds(on):0.08ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:8V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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1278 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# NS-SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1956 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDCT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
30016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 19261493 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5441BDC-T1-GE3 D# 1772409 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1278 |
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86-755-83210559-819
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