| Numero di parte | SI5482DU-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? ChipFET? Single |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.200 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? ChipFET? Single |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? ChipFet Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? ChipFET? Single |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5482DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5482DU-T1-E3 D# SI5482DU-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5482DUT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2975 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5482DU-T1-E3 D# NS-SI5482DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7338 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5482DUT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7026 |
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