Name: SI5509DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5509DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

SI5509DC-T1-E3

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Numero di parte	SI5509DC-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Scheda dati	SI5509DC-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5509DC-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Potenza - Max	4.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3 Packaging

SI5509DC-T1-E3 FAQ

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MOSFET, N & P CH, 20V, 6.1A, CHIPFET

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D# SI5509DC-T1-E3TR-ND

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