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SI5513CDC-T1-GE3

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SI5513CDC-T1-GE3

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Numero di parte SI5513CDC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Scheda dati

SI5513CDC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5513CDC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5513CDC-T1-GE3?
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SI5504BDC-T1-GE3

D# E02:0323_03046263

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant
0

SI5513CDC-T1-GE3

D# E02:0323_03046265

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5504BDC-T1-GE3

D# SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5504BDC-T1-GE3)

0

SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5513CDC-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5504BDC-T1-GE3

D# SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5504BDC-T1-GE3)

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SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5513CDC-T1-GE3)

0
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SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

2559
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

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Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 O Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

0

SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

6000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel&P-Channel 20V 4A,3.7A 1.5V @ 250uA 55mohms @ 4.4A,4.5V 3.1W 1206-8 ChipFET MOSFET RoHS

102
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

6819

SI5504BDC-T1-GE3

D# SI5504BDC-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

17846
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

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Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 Ω Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

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RoHS: Compliant
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SI5513CDCT1GE3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

19636
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SI5504BDC-T1-GE3

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180000

SI5513CDC-T1-GE3

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OEM/CM Immediate delivery

5880
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SI5504BDC-T1-GE3

D# 78-SI5504BDC-T1-GE3

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MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3

RoHS: Compliant
7122

SI5513CDC-T1-GE3

D# 781-SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

RoHS: Compliant
3319
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# XSKDRABV0058376

Vishay Intertechnologies

15000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3.

D# 28AC2155

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:Complementary N and P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0

SI5513CDC-T1-GE3

D# 04X9764

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 4A, CHIPFET-8, Transistor Polarity:Complementary N and P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# NS-SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6028

SI5504BDC-T1-GE3

D# NS-SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

12095
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDCT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

19076
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

179985

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

5895
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5504BDC-T1-GE3

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MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3

pbFree: Pb-Free
0

SI5513CDC-T1-GE3

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MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

pbFree: Pb-Free
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SI5513CDC-T1-GE3.

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MOSFET 20V N&P-CHANNEL (D-S) COMP

pbFree: Pb-Free
0
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54339
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5504BDC-T1-GE3

D# 53049323

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant
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D# 51841855

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