Name: SI5857DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5857DU-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

SI5857DU-T1-GE3

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Numero di parte	SI5857DU-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Scheda dati	SI5857DU-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
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Specifiche SI5857DU-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? ChipFet Dual
Pacchetto / caso	PowerPAK? ChipFET? Dual

Scheda tecnica SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3 Packaging

SI5857DU-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI5857DU-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI5857DU-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI5857DU-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI5857DU-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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