Name: SI5908DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5908DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

SI5908DC-T1-GE3

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Numero di parte	SI5908DC-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Scheda dati	SI5908DC-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5908DC-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3 Packaging

SI5908DC-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI5908DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI5908DC-T1-GE3

D# V72:2272_09216242

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant

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SI5908DC-T1-GE3

D# SI5908DC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

Numero di parte

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SI5908DC-T1-GE3

D# SI5908DC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

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Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

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Vishay Semiconductors

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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D# SI5908DC-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

5124

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RoHS: Compliant

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VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3570

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

RoHS: Compliant

5124

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SI5908DC-T1-GE3

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OEM/CM Immediate delivery

333

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SI5908DC-T1-GE3

D# 78-SI5908DC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

RoHS: Compliant

2809

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SI5908DC-T1-GE3.

D# 30AC0177

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4.4A, On Resistance Rds(on):0.032ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

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D# NS-SI5908DC-T1-GE3

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Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.4A I(D), 20V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

400

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SI5908DCT1GE3

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646

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MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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Vishay Huntington

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R

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