Name: SI5933CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5933CDC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (72 reviews)

SI5933CDC-T1-GE3

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Numero di parte	SI5933CDC-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Scheda dati	SI5933CDC-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5933CDC-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	276pF @ 10V
Potenza - Max	2.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3 Packaging

SI5933CDC-T1-GE3 FAQ

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 20 V 0.144 O 6.8 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

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SI5933CDC-T1-GE3

D# SI5933CDC-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

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SI5933CDC-T1-GE3

D# 2454809

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL, P-CH, -20V, -3.7A, 1206-8

RoHS: Compliant

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Container: Cut Tape

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Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6016

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SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Numero di parte

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SI5933CDCT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

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