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SI5933DC-T1-E3

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SI5933DC-T1-E3

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Numero di parte SI5933DC-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Scheda dati

SI5933DC-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5933DC-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5933DC-T1-E3

SI5933DC-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI5933DC-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5933DC-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5933DC-T1-E3?
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D# 70026122

Vishay Siliconix

MOSFET, DUAL, 20V, 3.6A, 2.1W, 1206-8

RoHS: Not Compliant
0
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2900
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MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

0
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