Name: SI5997DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5997DU-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

SI5997DU-T1-GE3

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Numero di parte	SI5997DU-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Scheda dati	SI5997DU-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
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Specifiche SI5997DU-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 15V
Potenza - Max	10.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? ChipFET? Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? ChipFet Dual

Scheda tecnica SI5997DU-T1-GE3

SI5997DU-T1-GE3 Packaging

SI5997DU-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI5997DU-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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Numero di parte

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SI5997DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET, PP CH, 30V, 6A,PPK CHIPFET

1613

Numero di parte

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SI5997DU-T1-GE3

D# SI5997DU-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

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SI5997DU-T1-GE3

D# 2056727

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MOSFET, PP CH, 30V, 6A,PPK CHIPFET

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Azione

SI5997DU-T1-GE3

D# 64T4073

Vishay Intertechnologies

MOSFET, PP CHANNEL, 30V, 6A,PPK CHIPFET, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:6A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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SI5997DU-T1-GE3

D# 2056727

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