Name: SI6459BDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6459BDQ-T1-GE3
Availability: InStock
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SI6459BDQ-T1-GE3

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Numero di parte	SI6459BDQ-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Scheda dati	SI6459BDQ-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6459BDQ-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica SI6459BDQ-T1-GE3

SI6459BDQ-T1-GE3 Packaging

SI6459BDQ-T1-GE3 FAQ

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MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

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D# SI6459BDQ-T1-GE3TR-ND

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