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SI6466ADQ-T1-GE3

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SI6466ADQ-T1-GE3

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Numero di parte SI6466ADQ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Scheda dati

SI6466ADQ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6466ADQ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 8.1A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica SI6466ADQ-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6466ADQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI6466ADQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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