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| Numero di parte | SI7160DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.840 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7160DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7160DP-T1-GE3 D# SI7160DP-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7160DP-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7160DP-T1-GE3 D# NS-SI7160DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7198 |
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