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| Numero di parte | SI7172DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 336.900 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SO-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 5.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SO-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# V72:2272_09216290 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7172DP-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7172DP-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 200 V 0.07 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# SI7172DP-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 |
2513 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
1020 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 200 V 0.07 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DPT1GE3Z |
LVM |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
35700 |
SI7172DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7140 |
781SI7172DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
114 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3-Z |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
88000 |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
130 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# 781-SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 RoHS: Compliant
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4313 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# XSFP00000063508 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 200 V 0.07 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 |
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3. D# 16AC0264 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:25A, On Resistance Rds(on):0.076ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:-RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
117000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# NS-SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6067 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5.9A I(D), 200V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
5 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
781SI7172DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
115 |
SI7172DPT1GE3Z |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
66011 |
SI7172DPT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
5616 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
125 |
SI7172DP-T1-GE3-Z |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
87985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
60 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# 53410301 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
2955 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7172DP-T1-GE3 D# 2478966 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 200V, 25A, SOIC, FULL RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
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0 |
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86-755-83210559-841
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