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SI7409ADN-T1-GE3

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SI7409ADN-T1-GE3

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Numero di parte SI7409ADN-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
Scheda dati

SI7409ADN-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Specifiche SI7409ADN-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? 1212-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 11A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? 1212-8
Pacchetto / casoPowerPAK? 1212-8

Scheda tecnica SI7409ADN-T1-GE3

SI7409ADN-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7409ADN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7409ADN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7409ADN-T1-GE3?
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