Name: SI7411DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7411DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

SI7411DN-T1-GE3

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Numero di parte	SI7411DN-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
Scheda dati	SI7411DN-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Specifiche SI7411DN-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? 1212-8
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 11.4A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? 1212-8

Scheda tecnica SI7411DN-T1-GE3

SI7411DN-T1-GE3 Packaging

SI7411DN-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI7411DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7411DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI7411DN-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI7411DN-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI7411DN-T1-GE3 pin diagram, SI7411DN-T1-GE3 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7.5A I(D), 20V, 0.019OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

3920

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