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SI7540DP-T1-GE3

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Numero di parte SI7540DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7540DP-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7540DP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.6A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7540DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7540DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7540DP-T1-GE3?
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