Name: SI7686DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7686DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

SI7686DP-T1-GE3

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Numero di parte	SI7686DP-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7686DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7686DP-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1220pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 37.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3 Packaging

SI7686DP-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI7686DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7686DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V36:1790_09215672

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Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

RoHS: Compliant

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D# SI7686DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7686DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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Vishay Intertechnologies

2905

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N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC

2753

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D# SI7686DP-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

2929

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V

RoHS: Compliant

2974

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D# 26R1934

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:35A, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

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SI7686DP-T1-GE3

D# NS-SI7686DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6878

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D# SI7686DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Semiconductor

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