| Numero di parte | SI7810DN-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 517.392 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# 70026075 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.052Ohm,ID 3.4A,PowerPAK 1212-8,PD 1.5W RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# V72:2272_09216384 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7810DN-T1-E3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies | 381 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# SI7810DN-T1-E3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
10985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Industry Leading ISO:9001/AS9120A Stocking Distributor of Obsolete & Hard to Find IC's/Semi's, Specializing in Altera/Xilinx. In-House Counterfeit Detection Lab. In Business 20 Years. Free Shipping on Orders Over $250. Buy American, Buy Direct |
1075 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
4301 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DNT1E3 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3318 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Huntington |
In Stock |
381 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
4601 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# 781-SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant
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4130 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# XSFP00000099154 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 100 V 0.062 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 |
6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3. D# 28AC2176 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.052ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
SI7810DN-T1-E3 D# 06J8165 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.4A, POWERPAK, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.084ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# NS-SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3055 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.4A I(D), 100V, 0.062OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
2065 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DNT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
9689 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
4616 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
5168 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 D# 50591868 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
8185 |
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