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| Numero di parte | SI7810DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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199D476X9020E6B1E3 | Vishay Sprague, CAP TANT 47UF 20V 10% RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
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DEV5W1P500M30LF | Amphenol FCI, CONN D-SUB PLUG 5POS R/A SOLDER, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 D# V36:1790_09216385 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 D# SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7810DN-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 D# SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7810DN-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 D# SI7810DN-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
1450 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
VIS |
In stock shipping within 2days |
1154 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
168 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 D# NS-SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7864 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DNT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
9016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
163 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7810DN-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
171 |
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