Name: SI7842DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7842DP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (147 reviews)

SI7842DP-T1-E3

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Numero di parte	SI7842DP-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7842DP-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7842DP-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3 Packaging

SI7842DP-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI7842DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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D# SI7842DP-T1-E3TR-ND

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D# 18X0026

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MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 6.3A, POWERPAKSO, Transistor Polarity:N Channel + Schottky, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:6.3A, On Resistance Rds(on):0.018ohm, Transistor Mounting:Surface Mount RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: Cut Tape

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