Name: SI8900EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8900EDB-T2-E1
Availability: InStock
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SI8900EDB-T2-E1

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Numero di parte	SI8900EDB-T2-E1
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Scheda dati	SI8900EDB-T2-E1 Scheda dati
pacchetto	10-UFBGA, CSPBGA
ECAD
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Specifiche SI8900EDB-T2-E1

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	10-UFBGA, CSPBGA
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	10-UFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	10-Micro Foot? CSP (2x5)

Scheda tecnica SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1 Packaging

SI8900EDB-T2-E1 FAQ

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SI8900EDB-T2-E1TR-ND

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