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SI9407BDY-T1-E3

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SI9407BDY-T1-E3

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Numero di parte SI9407BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Scheda dati

SI9407BDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI9407BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 3.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI9407BDY-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI9407BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI9407BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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SI9407BDY-T1-E3

D# 70459572

Vishay Siliconix

60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V

RoHS: Not Compliant
0
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D# E02:0323_00191545

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Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9407BDY-T1-E3)

0
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9407BDY-T1-E3)

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2500
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MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

17
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29750
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MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

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37893
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P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

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