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| Numero di parte | SI9945BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 519.168 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | gen 20 - gen 25 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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T86D156M025ESAS | Vishay Sprague, CAP TANT 15UF 25V 20% 2917, 2917 (7343 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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EEE-1VA101AP | Panasonic Electronic Components, CAP ALUM 100UF 20% 35V SMD, Radial, Can - SMD, TrenchFET? | Visualizza |
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74LVCH16601APVG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC UNIV BUS TXRX 18BIT 56SSOP, 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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MM908E622ACPEKR2 | NXP, IC QUAD HALF BRDG TRPL SW 54SOIC, 54-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
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MPC8-1WD220V | Bivar Inc., PNL MNT 220V WHITE 5MM, -, TrenchFET? | Visualizza |
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5615902090F | Dialight, LED CBI 5MM GRN WATER CLR 0.900", -, TrenchFET? | Visualizza |
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U28J1V3GE2 | C&K, SWITCH ROCKER DPDT 5A 120V, -, TrenchFET? | Visualizza |
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RNC50H11R8FSRSL | Vishay Dale, RES 11.8 OHM 1/10W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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RNC60H4640FSRE6 | Vishay Dale, RES 464 OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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ADIP20-G-LC | Assmann WSW Components, CONN DIP IDC 20POS GOLD, -, TrenchFET? | Visualizza |
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VE-J0F-EZ-F4 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 72V 25W, Half Brick, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 70026454 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 5.3, SO-8, Pd 3.1W RoHS: Not Compliant
|
764 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# V72:2272_09216529 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI9945BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI9945BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI9945BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
71000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
60V,5.3A,Dual N-Channel MOSFET |
90 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# SI9945BDY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 1794822RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE |
1881 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDYT1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
92225 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# C435838 |
Vishay Intertechnologies | 5144 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
1991 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# XSFP00000015511 |
Vishay Siliconix |
SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
70000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3. D# 26AC3355 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 5.3A, SOIC-8, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:5.3A, On Resistance Rds(on):0.046ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
25000 |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 72R4255 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, DUAL N CH, 60V, 5.3A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):46mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1093 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# NS-SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
10024 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 7878995P |
Vishay Intertechnologies |
Dual N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9945BDY-T1-GE3, RL Min Qty: 10
Container: Reel
|
7460 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
16990 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington | 266 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
SI9945BDY-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V N-CHANNEL DUAL pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Maxim Integrated Products |
shipping today |
4996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 39173502 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
8667 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI9945BDY-T1-GE3 D# 1794822RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, NN CH, 60V, 5.3A, 8SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
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