| Numero di parte | SIB411DK-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.768 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SC-75-6L Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SC-75-6L |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB411DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB411DK-T1-E3 D# SIB411DK-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB411DKT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2380 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB411DK-T1-E3 D# NS-SIB411DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3661 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB411DKT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2016 |
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86-755-83210559-827
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