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| Numero di parte | SIB417EDK-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.736 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? SC-75-6L |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? SC-75-6L Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? SC-75-6L |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# V72:2272_09216867 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 8V 9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R - Tape and Reel (Alt: SIB417EDK-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 1.2-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDKT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
In stock |
2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
1789 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# NS-SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3081 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 D# SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Semiconductor |
9000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDKT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
13005 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
1804 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIB417EDK-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
296 |
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