Name: SIHB12N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N50E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

SIHB12N50E-GE3

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Numero di parte	SIHB12N50E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Scheda dati	SIHB12N50E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche SIHB12N50E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	886pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (TO-263)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3 Packaging

SIHB12N50E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHB12N50E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIHB12N50E-GE3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of SIHB12N50E-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SIHB12N50E-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SIHB12N50E-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHB12N50E-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SIHB12N50E-GE3 pin diagram, SIHB12N50E-GE3 datasheet?

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Numero di parte

Produttore

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SIHB12N50E-GE3

D# SIHB12N50E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB12N50E-GE3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SIHB12N50E-GE3

D# SIHB12N50E-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB12N50E-GE3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SIHB12N50E-GE3

D# SIHB12N50E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK

Numero di parte

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Azione

SIHB12N50E-GE3

D# 2471937

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

715

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Descrizione

Azione

SIHB12N50EGE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

851

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SIHB12N50E-GE3

D# 78-SIHB12N50E-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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SIHB12N50E-GE3

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SIHB12N50EGE3

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SIHB12N50E-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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