| Numero di parte | SIHB22N60S-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.296 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2810pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 11A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT1602BI-83-33S-38.400000Y | SiTime, -40 TO 85C, 7050, 50PPM, 3.3V, 3, -, - | Visualizza |
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TCR15AG10,LF | Toshiba Semiconductor and Storage, 1500MA LDO VOUT1.0V DROPOUT120MV, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 22A, D2PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:22A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):160mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes |
132 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60SE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 D# SIHB22N60S-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 22A TO263 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 D# 1794783 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 600V, 22A, TO263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60SE3 |
Vishay Intertec |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
440 |
SLNSIHB22N60SE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
119 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
40 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 D# NS-SIHB22N60S-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1853 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60SE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
386 |
SLNSIHB22N60SE3 |
OEM/CM ONLY |
116 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
35 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHB22N60S-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
40 |
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