| Numero di parte | SIHD6N65E-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 9.468 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT8208AI-32-18E-74.175824T | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 1.8V, 7, -, - | Visualizza |
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1812Y4K00331KXR | Knowles Syfer, CAP CER 330PF 4KV X7R 1812, 1812 (4532 Metric), - | Visualizza |
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CC45SL3AD180JYVNA | TDK Corporation, CAP CERAMIC DISC RADIAL, Radial, Disc, - | Visualizza |
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MC10XS4200BFK | NXP, IC SWITCH HIGH SIDE 23PQFN, 23-PowerQFN, - | Visualizza |
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74ABT125PW,118 | Nexperia USA Inc., IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14TSSOP, 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), - | Visualizza |
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DF2117RVPT20HV | Renesas Electronics America, IC MCU 16BIT 160KB FLASH 144TQFP, 144-TQFP, - | Visualizza |
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RT1210CRB07316RL | Yageo, RES SMD 316 OHM 0.25% 1/4W 1210, 1210 (3225 Metric), - | Visualizza |
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414-87-268-41-134101 | Preci-Dip, PCB CONN SURFACE MOUNT 2.54MM, -, - | Visualizza |
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EW-20-20-S-T-600 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | Visualizza |
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MS3471L22-21P | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT 21POS INLINE W/PINS, -, - | Visualizza |
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FNG.2K.302.CLAC50Z | LEMO, CONN INLINE PLUG, -, - | Visualizza |
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RPP20-2412SW | Recom Power, CONV DC/DC 20W SNGL 12V OUT, 6-DIP Module, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# V99:2348_09218426 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-252 - Tape and Reel (Alt: SIHD6N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-252 (Alt: SIHD6N65E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 |
2910 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# SIHD6N65E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
2784 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# 2364075 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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16 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
9000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# 78-SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) RoHS: Compliant
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2700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# XSFT00000002506 |
Vishay Siliconix |
E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK |
9000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIHD6N65E-GE3 D# 38493995 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
0 |
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86-755-83210559-843
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