Name: SIHD9N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD9N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

SIHD9N60E-GE3

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Numero di parte	SIHD9N60E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 9A D-PAK
Scheda dati	SIHD9N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	7.616 piece(s)
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Specifiche SIHD9N60E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	E
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	778pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	368 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3 Packaging

SIHD9N60E-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIHD9N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHD9N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHD9N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHD9N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the SIHD9N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of SIHD9N60E-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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5. How is the shipping arranged?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIHD9N60E-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SIHD9N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin TO-252 - Tape and Reel (Alt: SIHD9N60E-GE3)

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SIHD9N60E-GE3

D# SIHD9N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin TO-252 (Alt: SIHD9N60E-GE3)

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SIHD9N60E-GE3

D# SIHD9N60E-GE3

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Transistor MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin TO-252 (Alt: SIHD9N60E-GE3)

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D# SIHD9N60E-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

2965

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SIHD9N60E-GE3

D# 2747696

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 9A, 600V, TO-252

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

2913

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SIHD9N60EGE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3528

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SIHD9N60E-GE3

D# 78-SIHD9N60E-GE3

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MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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SIHD9N60E-GE3

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RoHS: Compliant

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3060

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