Name: SIHF6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF6N65E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

SIHF6N65E-GE3

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Numero di parte	SIHF6N65E-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
Scheda dati	SIHF6N65E-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
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Specifiche SIHF6N65E-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220 Full Pack
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

Scheda tecnica SIHF6N65E-GE3

SIHF6N65E-GE3 Packaging

SIHF6N65E-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-220FP T/R - Tape and Reel (Alt: SIHF6N65E-GE3)

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D# SIHF6N65E-GE3

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Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin TO-220FP T/R (Alt: SIHF6N65E-GE3)

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Vishay Semiconductors

N-CHANNEL 650V

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MOSFET N-CH 650V 7A TO220

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MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

RoHS: Compliant

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