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SIHG33N60E-GE3

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SIHG33N60E-GE3

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Numero di parte SIHG33N60E-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
Scheda dati

SIHG33N60E-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche SIHG33N60E-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3508pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 16.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIHG33N60E-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIHG33N60E-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIHG33N60E-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIHG33N60E-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIHG33N60E-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHG33N60E-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG33N60E-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG33N60E-GE3)

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 Vishay Intertechnologies

500
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 Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AC

 323
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 Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

RoHS: Compliant
 0
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D# SIHG33N60E-GE3-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

 394
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MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AC

RoHS: Compliant
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SiHG33N60E Series ±30 V 33 A 278 W Through Hole Power Mosfet - TO-247AC

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 797
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MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

RoHS: Compliant
 12
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 Vishay Siliconix

E-Series N-Channel 600 V 278 W 99 mO 150 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

 1000
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SIHG33N60E-GE3

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MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:33A, On Resistance Rds(on):0.083ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Cut Tape
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MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

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MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

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